研究設備

設備一覧

研究室・実験室

研究室・実験室配置図

デバイス作製関連(大型)
デバイス作製関連(小型)
分析・計測(大型)
分析・計測(小型)
設備(クリーンルーム関連)
シミュレーション ・ プレゼン

研究室・実験室

クリーンルーム管理室
博士課程研究実験棟1F
  • クリーンルーム管理室

河合研究室は、博士課程研究実験棟1Fに位置しています。廊下を挟んで、管理室、分析室、評価室、クリーンルームが隣接しています。管理室は、クリーンルームを始め、各実験室および解析室の維持管理を主に行う施設です。また、教員・スタッフの居室も兼ねています。この部屋には研究用の専門図書として約1000冊が揃っています。また、この部屋は、常に各実験室に隣接しているため、緊急時やトラブルへの迅速な対応ができるようになっています。ここには、全実験室の様子をモニターできる施設があり、異常を素早くキャッチできる体制となっています。また、休憩用のスペースを備え、ドリンクや軽食も可能であり、メンバーの交流にも役立っています。

  • 研究室前の廊下

  • 博士課程1号棟全景
    (1Fが研究室)

  • 各実験室の常時モニター

  • 研究室蔵書(一部)

  • 研究室蔵書(一部)

クリーンルーム
博士課程研究実験棟1F
  • クリーンルーム

このクリーンルームは天井吹き出しリターンタイプであり、風量調整によりクラス1000相当の能力を有しています。ここには、半導体およびデバイス用の製造設備一式が揃っており、研究室メンバーはオリジナルな機能性デバイスを自分で作製することができます。マスクデザインからパッケージングまでの一切を、研究室内の設備で行うことができます。加工レベルは50~100nmレベルとなり、3次元光造形装置やナノインプリント装置などの最先端の設備も稼働しています。この設備で、トランジスタや太陽電池、各種センサなどの機能的なデバイスを生み出してまいりました。企業との産学連携の場としても、その稼働率は高い状況です。また、大学院生は、このクリーンルームで各種設備の動作原理や操作法を習得するとともに、薬品等を安全に取り扱うなどの重要なスキルを身に付けます。このように、デバイスの一環製造施設は全国の大学でも数少ない貴重なものと言えます。

マニュアル等 クリーンルームの入室方法.pdf
  • 前室からの眺め

  • 前室

  • エアーシャワー

  • エアーシャワー

  • クリーンルーム内

  • ディスカッション

  • リソグラフィ室での実験準備

  • 建屋分離型の防振エリヤ

  • 前室との電話連絡

  • プロセス処理準備

  • 足裏用粘着マット

  • 前室のクリーン服とシューズ

  • 反射ミラーによるモニター

  • 反射ミラーによる安全対策

  • 2-12インチSiウェハ

デバイス評価室
博士課程研究実験棟1F
  • デバイス評価室

ここでは作製したデバイスの解析評価を主に行う実験室です。この部屋には、プローブ顕微鏡システム(SPM)、X線CT(Xray Computer tomography)、蛍光X線分析装置(XRF)、フーリエ変換型赤外分光光度計(FT-IR)、可視紫外分光光度計(UV-Visible)、X線回折装置(XRD)などの中小型分析装置を備えており、単独研究室としては高レベルの分析施設となっています。新規デバイスの評価や特異現象の解明には、本分析施設が大きく寄与しています。各分析装置はスタッフから指導を受けることにより、各学生にはオペレーションライセンスが与えられ、納得のいくまで自分で分析に集中することができます。

  • (AFM,STM、ガスクロ)

  • 分光器と蛍光X線分析

デバイス分析室
博士課程研究実験棟1F
  • デバイス分析室

ここでは作製したデバイスの評価解析を主に行う実験室です。この部屋には、専属の全反射型X線光電子分光装置(TR-XPS)、環境制御型電子顕微鏡(E-SEM)などの大型分析装置を備えており、単独研究室としては高レベルの分析施設となっています。新規デバイスの評価や特異現象の解明には、本分析施設が大きく寄与しています。各分析装置はスタッフから指導を受けることにより、各学生にはオペレーションライセンスが与えられ、納得のいくまで自分で分析に集中することができます。また、この部屋には、メンバーの研究ブースがあり、最新のデータを常に解析し考察を重ねて、世界との研究競争に寄与する成果を日々創出しています。

  • 分析室(XPS、ESEMなど)

  • 連続運転のTR-XPS

  • 学生ブース

  • ブース型机

  • スケジュールモニター

ゼミ室・デバイス解析室
博士課程研究実験棟1F
  • ゼミ室

ここでは、研究室メンバーが一同に集い、日々の研究成果をゼミ形式で発表するエリアです。ゼミでは、毎週メンバーが自分の研究進捗を発表します。これにより、学生たちは、自分の努力の成果を第三者へ効果的にアピールするためのプレゼンテーション能力を鍛えます。また、実験結果について、指導教員とともに、徹底的に討論し、学術論文や国際学会などの社会へ発信できるレベルへ仕上げていきます。ゼミ発表では、英語プレゼンを多く導入し、実践的な英語力を養います。そして、研究室ゼミを通じて、いわるゆ対外的な説得力、問題意識の深化、真理の追及といった通常の授業だけでは養えない人間力としてのスキルをトレーニングしていきます。ゼミブースの壁にはOB学生の栄えある受賞賞状が飾られており、現役学生も負けぬよう日々研鑽を積んでいます。

  • プレゼン用プロジェクタ

  • 受賞パネル展示

  • ゼミによる発表討論会の様子

  •  

デバイス作製関連 (大型)

プラズマCVD ・ ECR-CVD ・ 光CVD
設置場所:クリーンルーム
  • マルチチャンバー部

  • 制御タワー部

メーカー サムコインターナショナル研究所
型番 PDM-303
仕様 3チャンバー連続堆積システム
プラズマCVD:13.56MHz, 450W, 液体ソース、Ar,N2キャリアガス
ECR-CVD:2.450GHz, 875Gauss, 100-1000W
光(UV)CVDシステム:照射波長 184.9nm(15%), 253.7nm, 基板加熱400℃
QCMによる膜厚モニターシステム、ターボ分子ポンプシステム、4インチサイズ基板
用途 CVD法による有機薄膜堆積、HMDSO膜形成、デバイスのパッシベーション、膜表面の親水および疎水化処理
マニュアル等 プラズマCVD装置の概略.pdf
ECR-CVD装置の概略.pdf
光CVDシステムの概略.pdf
プラズマCVD装置簡易マニュアル.pdf
  • 3チャンバーシステム

  • RFマッチングオペレーション

  • プラズマCVD

  • ECR-CVD

  •    光CVD サンプル入口

  • プラズマ重合法によるHMDSO膜のデポ

反応性イオンエッチング装置(RIE)
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー サムコ(株)
型番 FA-1
仕様 エッチングガス:CF4, O2、Ar、N2、 200W, 4インチサイズ基板、基板冷却タイプ
用途 Si 基板、SiO2 基板のドライエッチング、有機膜の異方性ドライエッチング
マニュアル等 RIE操作マニュアル.pdf
  • エッチングチャンバー内部

  • RFプラズマのマッチング調整

RFマグネトロンスパッタ
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー サンユー電子(株)
型番 SVC-700RF II
スパッタ最大出力 13.56MHz, 300W
逆スパッタ最大出力 100W
ターゲット2インチ Pd, Ag, Pt, Au
ターゲット4インチ Al, Si, SiC, Si3N4, Ti, TiO2, Cr, Fe, Fe2O3, Co, Ni, Cu, SrTiO3, Mo, In2O3-SnO2,BaTiO3, Ta, Ta2O5, W
スパッタガス 超高純度 Ar, O2, N2  99.9999%
排気系 ターボ分子ポンプ:150L/sec
ロータリーポンプ:100L/min
チャンバー内真空度 10-4Pa台
付属設備 QCM膜厚モニター、シャッター、マスフローコントローラー
用途 金属・誘電体の薄膜形成、表面処理、プラズマエッチング
マニュアル等 オペレーションマニュアル.pdf
定期チェックマニュアル.pdf
  • チャンバー内

  • Si基板上にスパッタされたTa2O5薄膜

  • オペレーションの様子

  • チャンバーおよび排気系

  • サンプルホルダー

  • スパッタ中のプラズマ発光

  • 光活性膜としての酸化チタン膜

DCスパッタ装置
設置場所:クリーンルーム
  • 本体外観

  • 本体外観

メーカー サンユー電子(株)
型番 SC-701MKⅡ
仕様 直流スパッタ方式
ガス導入、置換機構
用途 Au, Pt, Pd などの貴金属膜の形成用
マニュアル等 DCスパッタの概略.pdf
  • 間欠スパッタ機能

DCエッチング装置
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー サムコインターナショナル研究所
型番 SC-706
仕様 Ar ガス、O2ガス、DCバイアス max 3kV, 6インチ基板対応、DCエッチング
用途 基板の物理エッチング、表面親水化処理、Mo膜の形成、貴金属膜の形成
  • DCプラズマ発光

  • 大型基板プレート

EB蒸着 ・ 抵抗加熱蒸着装置
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー サンユー電子(株)
型番 SVC-700TMSG/7PS80
蒸着方式 抵抗加熱(2系統)、電子ビーム加熱、(1系統)、シャッター付き、QCM膜厚モニター付
電源 12V45A/7V80A(切替式)
蒸着材料 Al, Ti, Mo, Ni, Pt, Cu, Si, SiO2, Au
試料(基板)サイズ MAX. φ50mm
排気系 ターボ分子ポンプ:67L/sec (N2)
ロータリーポンプ:20L/min
チャンバー内真空度 2×10-4Pa台
用途 電子ビームおよびフィラメントによる無機金属膜の蒸着形成
電子ビームを用いた高温アニーリング(熱処理)
マニュアル等 EB・抵抗加熱装置の概略.pdf
  • 電子ビーム照射中

  • 電子ビーム銃とWフィラメント

  • 蒸着オペレーション

  • B-A真空ゲージ

  • 高純度Arガス

  • 電子ビームホルダ

  • Si基板のEB溶融

小型蒸着装置
設置場所:クリーンルーム
  • 蒸着装置

    外観

メーカー SHIMADZU CORPORATION KYOTO JAPAN
型番 E-250A
仕様 ベルジャ:硬質ガラス製 直径250×350mm
到達圧力:10-4Pa(7×10-3Paまで約15分)
蒸発電源:10V×100A
所要電源:単層100V 2kVA
用途 デバイスへの電極形成、導電性コーティング
  • 蒸着装置チャンバー

    チャンバー

  • 蒸着装置蒸着ボード

    蒸着ボード

レジストプラズマ除去
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー ヤマト科学(株)
型番 PR301 
仕様 バレルチャンバー式、300W、O2プラズマ灰化式、ダイヤルマッチング方式, 3インチ基板処理可能
用途 レジスト膜などの有機膜の除去、表面有機残さの除去、表面親水化処理、有機膜の等方性ドライエッチング
  • 前扉解放時

  • アッシングチャンバー内部
    3インチ用

  • 試料交換

電子ビーム描画装置
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー サンユー電子(株) 
型番 ACE-7000EBL
仕様 200nmライン描画(実力的に100nm以下のパターン形成可能)
描画エリア:
加速電圧:
電子ビーム径:
CAD描画ソフト、SEM機能、寸法計測システム
用途 ナノパターン形成、デバイス回路形成、機能性デザイン、レジスト局所硬化処理 
  • 電子銃の鏡筒

  • サンプルステージ

  • 照射電流モニタ
    (ピコアンメーター)

3次元マイクロ光造形装置
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観(防振台設置)

メーカー アズマ工機(株) 
型番 URM-HP301 
仕様 He-Cdレーザー光源、光硬化型造形,CAD設計システム
用途 3次元のマイクロ構造の一括形成、薄膜型リソグラフィでは困難な形状形成用。
立体球、チューブ、ホールなどの機能性デバイスの構成要素の形成用。
メッキ、リフトオフなどによる3次元金属配線形成用のパターン。
光導波路、回折格子などの光学素子形成用。 
  • レーザー制御
    光学系

  • He-Cdレーザー

  • パワーコント
    ローラ

  • 3次元造形用チャンバー

UV露光機
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー 自作
型番
仕様 UV光源(山下電装UVライト、305nm(h線)、365nm(i 線), 436nm( g 線)混合)
ステージ:シグマ光機 光学ベンチ、重ね合わせ機構
縮小レンズ:NA
防振台:日本電子(株)製
用途 最小3μmまでのレジストパターン形成、等倍および縮小投影露光用、位相シフト露光用、重ね合わせユニット付、紫外線照度モニター、両面露光用赤外線検出ユニット搭載(試作中)
  • X,Y,Z,θステージ

  • マスク合わせ

  • 紫外線照射中

  • 重ね合わせ

  • プロキシミティ

  • 縮小投影露光

  • ホール形成

  • ハニカム構造形成

  • 貫通孔マイクロチャネル

位相シフトマスク露光システム
設置場所:クリーンルーム
  • システム外観

メーカー 自作 
型番  
仕様  
用途 光リソグラフィの解像限界を延ばすための高解像用リソグラフィ実験に用いる 
赤外線真空アニール炉
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー (株)サーモ理工
型番 IVF298W 
仕様 最高到達温度1400℃、ターボ分子ポンプ、均熱システム
用途 Si基板内へのPドライブ、高融点材料SiN等の結晶化処理 
  • メインコントローラ

  • チャンバ冷却

  • 赤外線アニール処理

  • 赤外線光源ユニット

  • サンプルステージ

  • Si用熱電対
    (石英保護チューブ)

ワイヤーボンディング
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー ハイソル(株) 
型番 WEST BOND, 7400D 
仕様 Al, Au 細線のワイヤーボンディング、超音波ウェッジ方式、試料サイズは20mm角、マニュアル配線方式
用途 作製したデバイスの電極パッドを、金属細線により外部パッケージ電極と接続する。
  • 超音波ウェッジステージ

  • サンプルのボンディング

  • ウェッジ先端の位置合わせ

  • 流体制御用MEMSマイクロポンプ

ウェットステーション・ドラフタ
設置場所:クリーンルーム
  • ドラフタ外観

メーカー 悠久堂医科器械(株) 
型番  
仕様 塩ビパネル仕様、酸アルカリ耐性 
用途 各種ビーカー等の治具洗浄、水冷処理 
  • 薬品調合

陽極接合システム
設置場所:クリーンルーム
  • システム基礎評価

メーカー 自作
型番  
仕様  
用途 Si基板とガラス基板との低温接合用、真空およびガス封入カプセル作製用
  • 陽極接合システム

  • 陽極接合後のガラス‐シリコン基板

マイウエルダー
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー 近藤テック
型番 KTH-MWS
仕様 寸法:150×155×260mm(H×W×D)
電極:CrCu電極 先端径1.5mm
加圧方式:ばね加圧 約2.8kgf
用途 熱電対や細線材料の溶接
  •  
ハンドホットプレス
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー アズワン
型番 HHP-2D
仕様 温度設定範囲:室温
温度調節制度:±1.0℃(at300℃)
熱板サイズ:80×60mm
用途 各種素材の圧縮試験
  •  

デバイス作製関連 (小型)

メッキシステム(Cu,Al,Au)
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー (株)ハープ
型番 No.6300
仕様 槽容量:500cc×2
メッキ電流:50~500mA
脱脂電流:2.8A
ヒーター:45℃or55℃
用途 CuおよびAlなどの電解、無電解めっき膜の作製用 
  • Cuメッキ液

  • Niメッキ後

  • Niメッキパターン

CMP研磨機
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

メーカー ナノファクター(株)
型番 LAPPING MACHINE FACT-200
定盤回転数 10~200rpm
定盤種類 鉄、銅、ポリッシングクロス
定盤直径 φ200mm
研磨時間設定 秒単位(タイマー機能付き)、自動スラリー供給システム
スラリー ダイヤモンドスラリー
用途 基板のCMP(Chemical Mechanical Polishing ), Siウェハやガラスの鏡面研磨
プリズム作製、基板再生、鏡面仕上げ加工
マニュアル等 高精度研磨装置の概略.pdf
研磨装置取り扱い説明書.pdf
  • 自公転システムによる鏡面研磨

  • 作製した6角形Siプリズム

  • 研磨治具セッティング

  • 研磨定盤クリーニング

  • Si, ガラスプリズムの作製

  • ATR用Siプリズム

真空乾燥機
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー ヤマト科学(株)
型番 PC-101A
仕様  
用途 コーティング膜の真空乾燥、脱気水の作製用 
マニュアル等 真空乾燥機の概略.pdf
真空乾燥機の使い方.pdf
  •  
超臨界乾燥システム
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー 日本電子(株) 
型番 JCPD-5 
仕様 液化炭酸ガス、メタノール置換型、サンプルサイズ20mm角可能 
用途 液体処理による構造破壊を防ぐ用途に使用する。微細レジストパターンの現像処理、MEMSデバイスの乾燥処理、生体・植物試料の乾燥処理に用いる 
マニュアル等 臨界点乾燥装置使用マニュアル.pdf
  • 乾燥用試料のセット

  • 試料ホルダー

NCマイクロ旋盤
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

メーカー ミッツ株式会社
型番 FPZ-31AT model160
分解能 0.00635
スピンドル回転数 30000~40000rpm(基板加工)
5000rpm(アクリル板)
工具 ミリングカッタ、ドリル、フォーミングカッタ、10種類自動交換
付属CADソフト Flash for Windows
用途 プリント基板の加工、デバイスマウント用の基板加工、燃料電池用ハウジング加工
アクリル板の加工、MEMS用ハウジング加工
マニュアル等 基板加工機操作マニュアル.pdf
  • デバイス用パッケージ

  • CADによる加工デザイン設定

電気炉・拡散炉
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー ISUZU
型番 EPKRO-14K
温度制御方式 オートチューニング機能付ゼロクロスDF-PID制御
温度検出端 K 熱電対
温度設定範囲 -20~1200℃(実用温度:1000℃)
温度測定範囲 -0~1220℃
温度指示精度 ±-0.5%FS(A/C機能時±0.01%以内)
設定指示分解能 1℃
サンプリング周期 0.5秒
用途 サンプルの熱処理、P拡散用、シリコン酸化膜作成、有機膜のハードベーク
マニュアル等 電気炉の概略.pdf
  • 高温熱処理(ガス置換)

  • 熱処理プログラム設定

高温型電気炉
設置場所:クリーンルーム
  • 高温型電気炉

    装置外観

メーカー 日陶科学(株)
型番 NHK-170
仕様 使用最高温度:1250℃
プログラム制御:2パターン 8ステップ
炉壁:セラミックファイバー
ヒーター:パイロマックス
用途 トランジスタ用のPドライブ、厚膜酸化層の形成
  • 高温型電気炉内部構造

    内部構造

オゾン処理
設置場所:クリーンルーム
  •  

メーカー UVP 
型番 UVL-56
仕様  
用途 ポリマー膜表面の親水化処理、表面硬化処理、アッシング処理
マニュアル等 UV-オゾン処理装置の概略.pdf
  •  
乾燥炉・恒温槽
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

  • 装置外観

メーカー (株)いすゞ製作所
型番 NDN-19GA
仕様 保持温度300℃、温度表示、PID制御、ガス置換仕様、ステンレス仕様
用途 ビーカー、シャーレ、治具等の乾燥用、温度特性の測定用チャンバー
マニュアル等 乾燥炉の概略.pdf
  • 装置内部(3段仕様)

単結晶切断機
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

  • 装置外観

メーカー Refine Tech Ltd. 
型番 RCA-005 
仕様  
用途 単結晶基板の切断加工、任意の方向への加工可能、高速切断可能 
マニュアル等  
  • ダイヤモンドカッター刃

ウェハスクライバー
設置場所:デバイス分析室
  • 装置外観

  • カッター部

メーカー ムサシノ電子(株) 
型番 SC-100 
仕様 適用試料 : 半導体ウェハ、サファイア、SiC、ガラス、セラミックス等
最大試料サイズ : φ100mm
試料取付法 : 真空チャック式
ステージ移動 : X方向100mm(max)
ステージ回転 : θ=360°
けがき針 : ポイント式ダイヤモンド針
けがき長 : Y方向118mm(max)
用途 Si単結晶基板の精密切断、最小1mm角切断可能 
  • 試料分離治具

  • セパレータ

  • 2mm角のSiチップ加工

  • カッター部のセッティング

親水化処理装置
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー 日本電子(株) 
型番 HDT-400 
仕様 減圧プラズマ方式、オートプロセス処理、サンプルサイズ:最大20mm、時間設定機 
用途 固体表面の親水化処理、AFM針先端のクリーニング処理、有機薄膜の活性化、接着表面の活性化処理、マイクロチャネルの親水化処理、バクテリアの滅菌処理
  • チャンバー内部

露光マスク作製システム
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

メーカー 自作(使用カメラNikon)
型番 自作(使用カメラ2060706)
仕様 最大A3サイズ、縮小率 20分の1、高輝度ランプ4系統、防振台搭載によるブレ防止機構 
用途 マスク作製用原図撮影、位相シフトマスク作製
マニュアル等 ガラス乾板マスク作製1.pdf
ガラス乾板マスク作製2.pdf
  • ステージ

  • ランプ照度の設定

  • テストパターン用マスク

  • マスク乾板撮影用カメラ

  • 乾板現像用ユニット

  • 写真乾板の現像ユニット

  • 解像力用チャート

  • マスク現像用ポット

ナノインプリント装置
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー 三井電気精機(株)
型番 TM-04
仕様 成形方法:熱硬化方式、光硬化方式
プレス/剥離速度:1~1000μm/sec
最大荷重:1000kg
加熱温度:室温~250℃
ワークサイズ:50×50mm
用途 モールドを用いた微細形状プリント、UV硬化樹脂用
  • ステージ可動部

  • 加圧ステージとUV照射部

スピンコーター
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー (株)ナノテック
型番 SC-200
仕様 回転数最大10000rpm、2段階切り替え回転、真空チャック方式、スピン可能試料サイズ:5~50mm角、排気機能、ポリプロピレンチャック
用途 フォトレジストなどの溶剤系有機膜のコーティング、溶剤乾燥処理
マニュアル等 真空チャックトラブル対処.pdf
  • コーティング中

  • 5mmサイズ試料用チャック回転部

ホットプレート
設置場所:クリーンルーム
  • 外観

メーカー アズワン(株)
型番 ND-1
仕様 温度設定範囲:室温+10~350℃
天板サイズ:170×170mm
天板材質:アルミニウム
用途 フォトレジスト膜の溶剤乾燥、各種熱処理用 
  •  
ホットスターラー
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

  • 温度・回転数コントローラ

メーカー CORNING 
型番 PC420D 
仕様  
用途 溶液撹拌用 
  •  
超音波洗浄機
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー 本多電子(株) 
型番 W-113 
仕様 超音波周波数の三段階切り替え機構、処理タイマー機構、微小サンプル用かご付
用途 基板および部品の洗浄、微粒子除去、混合物の撹拌、超音波実験 
  • サンプル用バスケット

等方性、異方性ウェットエッチングシステム
設置場所:クリーンルーム
  •  

メーカー 自作
型番
仕様  
用途 MEMS用3次元形状の作製
  •  
リフトオフパターン形成システム
設置場所:クリーンルーム
  •  

メーカー 自作
型番
仕様  
用途 厚膜用の金属配線の形成
  •  
プローバーシステム
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー 自作
型番
仕様 プローブ針材料:タングステン
ステージ可動軸:x,y,z軸
用途 作製したデバイスの電気特性解析用 
  • 信号印加用用プローブ

  • ステージへのデバイスマウント

  • 観察用照明

  • マイクロデバイスの動作試験

  • 基板表面の導電性評価

  • XYZ ステージ構造

  • 4極プローブシステム

単結晶異方性エッチング(EPWエッチング)
設置場所:クリーンルーム
  • 専用ドラフタ外観

メーカー  
型番  
仕様  
用途 シリコンの結晶異方性ウェットエッチング 
マニュアル等 EPWエッチング方法.pdf
  • Si結晶異方性エッチングによる曲線加工

レジスト処理ドラフタ
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー SANPLATEC
型番  
仕様 スピンコート装置、二段階ホットプレート搭載(最高250℃)、排気機構搭載 
用途 フォトレジスト膜のスピンコートおよびプリ・ポストベーキング 
  • レジスト膜のハードベーキング

UV硬化装置
設置場所:クリーンルーム
  • 外観

  • 3光源システム

メーカー フナコシ
型番 UVL-56
仕様  
用途 光硬化性樹脂のUV処理、高分子の重合制御
  • 248nm, 365nm, 436nm 選択照射ユニット内

ウェットブラスト装置
設置場所:デバイス解析室
  • ウェットブラスト装置

    外観

メーカー MACOHO
型番 Baby Blast
仕様 有効処理エリア:L 80mm × W 20mm
処理速度:3~40mm/sec
連続処理回数:1~10回
ブラストエア圧:0.15~0.30MPa
エア消費量:0.6m3/min
用途
環境試験機(デバイス信頼性・寿命試験)
設置場所:デバイス評価室
  • 環境試験機

    外観

  • 環境試験機

    外観

メーカー エスペック(株)
型番 SH-261
仕様 温度範囲:-60~+150℃
湿度範囲:30~95%rh
内寸:W300×H300×D250㎜(突起物を除く)
観測窓:あり
棚板:1枚
ケーブル孔:2箇所(φ25mm左右側面各1ヶ)
用途
  • 最低温度(-60℃)

  • 最高温度(150℃)

  • 環境試験(50℃,80%)

  • 内部

水槽
設置場所:クリーンルーム
  •  

メーカー  
型番  
仕様 60L水槽
可変温度ヒータート・ライト
用途 生体模倣のための魚類、甲殻類、水草の生体機能の観察及び生体構造の観察
  •  
植物育成用ケース
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー  
型番  
仕様 温度調整可能、吸気及び排気ファン
用途 植物埋め込み型MEMSデバイスに用いる植物の育成、埋め込み後の経過観察
  •  
薬品保管用冷蔵庫
設置場所:クリーンルーム
  •  

メーカー 吉井電気
型番 Abitelax ER-851(HG)
仕様 サイズ:幅470mm x 奥行495mm x 高さ852mm
容量:58L(冷蔵室)、27L(冷凍室)
用途 冷凍、冷蔵が必要な薬品の保管
  •  
IHヒータ
設置場所:クリーンルーム管理室
  •  

メーカー 株式会社石崎電機製作所
型番 SIH-1300
仕様  
用途 簡単な調理
  •  
除湿器
設置場所:デバイス解析室
  • 除湿器

    外観

メーカー 三菱電機株式会社
型番 MJ-180AX
仕様  
用途 装置の大敵である湿気の防止
  •  
除湿器
設置場所:デバイス評価室
  • 除湿器

    外観

メーカー 三菱電機株式会社
型番 MJ-180EX
仕様  
用途 装置の大敵である湿気の防止
  •  
除湿器
設置場所:クリーンルーム
  • 除湿器

    外観

メーカー シャープ株式会社
型番 CV-G71-W
仕様  
用途 装置の大敵である湿気の防止
  •  

分析・計測 (大型)

全反射型X線光電子分光装置(XPS)
設置場所:デバイス分析室
  • システム全景

  • エネルギー分析器

メーカー 日本電子(株)JEOL
型番 JPS-9200
X線源 Al/Mgツインアノード, Alシングルアノード、全反射型、電子ビーム中和補正型
加速電圧 3~12kV
エミッション電流 2.5~50mA
エネルギー掃引範囲 0~1480eV
最小エネルギー掃引間隔 0.025eV
標準試料形状 10mm×10mm×2mm(最大6個)
真空到達度 7×10-8Pa
イオン銃ビームエネルギー Ar:0.1~4keV
ビーム電流 最大2μA(吸収電流)、カーブフィッティング機能、マッピング計測機能、ベーキング機構付き
用途 表面の組成分析
化学分析(原子価の推定による化学結合状態の解明)
表面深さ方向分析、低エネルギー領域解析(10eV以下)
  • エネルギーアナライザ

  • サンプルステージ

環境制御型走査型電子顕微鏡(ESEM)
設置場所:デバイス分析室
  • 電子銃鏡筒部

  • ステージコントローラ

メーカー Philips(Nikon)
型番 XL30 ESEM TMP
フィラメント タングステンフィラメント
観察モード Enviromental-SEM(ESEM)モード、SEMモード
分解能 3.5nm
倍率 ~100,000倍
試料室真空度 10~2660Pa
加速電圧 1~30kV
検出モード 二次電子(SE)、反射電子(BSE)、気体二次電子(GSE)
サンプルステージ 直径10mm、ピエゾ冷却ステージ
用途 液体の直接観察、液体の凝固・融解現象の直接観察、生体・バイオ・食品等の直接観察、構造体の高倍率観察
マニュアル等 ESEMオペレーションマニュアル.pdf
ESEMフィラメント交換.pdf
ESEM用PC不具合対処法.pdf
  • サンプルチャンバー

  • 試料マウントステージ

  • 試料冷却用ピエゾステージ

  • 制御システム

  • オペレーション

  • ミクロン液滴の凝縮過程

  • マイクロチャネル内の流体移動

  • マイクロチャネル内の流体充填

X線CT装置
設置場所:デバイス評価室
  • 装置外観(CTユニットと制御用コンピュータ)

メーカー 松定プレシジョン(株)
型番 μRay5500-LCTNFRT80
管電圧 30~80kV
管電流 30~150μA
ステージ CTステージ
回転傾動ステージ
XYステージ
分解能 3.5μm/pixel(CTステージ)
解析ソフト μRayVision(画像解析) 3次元画像復元、スライス解析、体積計算等
VG studio(画像処理)
用途 デバイスの非破壊検査、最大3kgまでのサンプル(大型ステージ)
X線透過像の撮影
X線CT像の撮影
  • X線源およびサンプル回転ステージ

  • サンプルステージ

  • 画像再構成

  • データ解析

  • ICチップ内の配線構造図

  • 3次元チューブ構造

走査型電子顕微鏡(SEM)
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

  • 装置外観

メーカー JEOL
型番 NeoScope JCM 5000
フィラメント ウエネルト一体型グリッド小型電子銃
倍率 10~40,000倍
ステージ X-Y軸手動式、(X方向35mm、Y方向35mm)、傾斜ステージ
加速電圧 5kV, 10kV, 15kV
真空モード High(2~10Pa), Low(10~30Pa)
最大試料サイズ 直径70mm, 高さ51mm, 重さ200g
用途 構造体の高倍率観察、低加速による絶縁パターンの観察、構造の寸法測定
マニュアル等 SEMの概略.pdf
SEM軸合わせマニュアル.pdf
SEMの高圧ユニット異常対策.pdf
  • 傾斜用ステージ

走査型原子間力顕微鏡(AFM・プローブ顕微鏡)
設置場所:デバイス評価室
  • 全体ユニット外観

  • スキャナーヘッド

メーカー Seiko Instruments Inc
型番 SPI-3700(ステーション部)
SPA-300(ユニット部)
検出系 光てこ方式(半導体レーザおよび4分割変位検出系)
分解能 0.2nm(面内)、0.01mm(垂直)、コンタクトモード、ノンコンタクトモード
試料サイズ 最大35mmφ×5mm
試料移動機構 慣性移動ステージ
走査範囲 20μm(標準)、150μm(最大)
Z粗動ストローク 5mm
用途 表面形状の評価
・表面凹凸像、位相像
・3次元表示
・表面粗さ
・断面形状の表示、表面積計算、粒径分布解析
・電流分布、帯電像観察
・摩擦計測モード
・SNOM計測
・STM
マニュアル等 走査型プローブ顕微鏡の概略.pdf
マイカのへき開面.pdf
直接剥離法(DPAT法).pdf
微粒子マニピュレーション.pdf
AFM陽極酸化法.pdf
AFM陽極酸化マニュアル.pdf
  • カンチレバーステージ

  • プローブヘッド

  • 表面構造ディスプレイ

  • 陽極酸化による100nm線幅の
    文字加工

  • 高分子集合体の
    ナノマニピュレーション

  • 溶液用チャンバー

  • 溶液用チャンバー構造

  • AFM探針ホルダー

  • シリカゲル乾燥

走査型トンネル顕微鏡(STM・プローブ顕微鏡)
設置場所:デバイス評価室
  •  

メーカー Seiko Instruments Inc
型番 SPI-3700(ステーション部)
SPA-300(ユニット部)
仕様  
用途 トンネル電流モードによる表面構造の原子分解能観察
  • 劈開マイカ表面の原子像

AFM(一号機)
設置場所:デバイス評価室
  •  

メーカー セイコー電子工業株式会社
型番 SFA300
仕様 国内初の商品化されたAFM
検出方式:光テコ方式
試料サイズ:最大20mmφ×2mm
用途 ・試料表面凹凸像取得
・力一定モード
・変位可変モード
・ステージ微小振動を利用した実験
  •  
SNOM
設置場所:デバイス評価室
  • 全体外観

  • 光源および受光部

メーカー システム自作
型番  
仕様  
用途 固体表面の結合状態の解析い
  • SNOMヘッド

  • プリズム対応反射ミラー

  • 可視光用の石英プリズム

  • 反射ミラー

  • プリズム端面写真

摩擦力顕微鏡(FFM)
設置場所:デバイス評価室
  •  

メーカー Seiko Instruments Inc
型番 SPI-3700(ステーション部)
SPA-300(ユニット部)
仕様  
用途 固体表面の摩擦力分布の計測
  •  

X線回折装置(XRD)
設置場所:デバイス評価室
  • 装置外観(ゴニオメータユニットと制御用コンピュータ)

メーカー (株)リガク
型番 Miniflex600
最大定格出力 600W
定格電圧 20~40kV(1kV刻み)
定格電流 2~15mA(1mA刻み)
X線管 Cu-Kα
スキャンモード θ-2θ法
2θ測定範囲 -3~145deg
最小ステップ角度 0.005deg
用途 物質の結晶構造解析、データベース、粉体解析
応力解析
  • ゴニオメーター内部

  • サンプル交換

蛍光X線分析装置(XRF)
設置場所:デバイス評価室
  • システム外観(分析本体と制御用コンピュータ)

メーカー JEOL
型番 JSX-3400R
X線管球 Rh
管電圧 5~50kV(1kV刻み)
管電流 0~1.0mA(0.05mA刻み)
検出可能元素範囲 Na~U   (液体窒素冷却型)
X線照射径 約15mmφ
用途 成分元素と構成比率の同定(ppb)
RoHS分析
液体および粉体サンプル測定仕様
マニュアル等 蛍光X線装置(XRF)簡易マニュアル.pdf
  • 観察室

  • 観察室

  • 観察ポイント

  • 含有元素の同定

マイクロマニピュレーター
設置場所:デバイス解析室
  • 本体外観

メーカー 駿河精機(株)
型番 UGO-293
仕様 [マニピュレータ]
 ストローク:前後15mm,左右15mm
 分解能:0.1μm/パルス
 アームホルダー:0~90°の回転可能
[XYステージ]
 ストローク:前後100mm,左右75mm
 分解能:0.1μm/パルス
用途 1μm分解度での高精度オペレーション
  • ステージコントローラー

  • プローブコントローラー

  • Z軸モニター

  • マニピュレーション1

  • マニピュレーション2

  • Z軸コントローラー

エリプソメータ
設置場所:クリーンルーム
  • 外観

  • 外観

メーカー (株)溝尻光学工業所
型番 DVA-FL 
仕様 レーザー:He-Ne(632.8nm)、入射角度設定:0~70度、基板上の単層膜厚計測、多層膜厚計測、光学定数(n,k) 計測、真空吸着方式
用途 透明膜の膜厚計測、光学定数(屈折率n、消衰係数k)の計測、多層膜構造解析、散乱角特性計測 
  • 70°入射による偏光解析

  • 高吸収サンプル用

ナノスペック(光干渉型膜厚計)
設置場所:クリーンルーム
  • ナノスペック

    外観

メーカー NANOMETRICS
型番 NanoSpec M210
仕様 測定範囲:10nm~50μm
再現性:フィルムの種類によって5ű5%
標準測定時間:2.5秒
用途 薄膜の膜厚測定、フォトレジスト、酸化膜、窒化膜用
  • ナノスペック測定ステージ

    測定ステージ

  • ナノスペック分光計

    分光計

FT-IR(ATR、RAS、透過、分光測定器)
設置場所:デバイス評価室
  • システム外観

  • システム外観

メーカー 日本分光(株) 
型番 FT/IR-410 
仕様 フーリエ変換型、透過、反射、ATR、RASモード、偏光板、
用途 膜内の分子構造解析、表面官能基の同定
マニュアル等 FT-IRの概略.pdf
FT-IR-ATRの概略.pdf
FT-IR-RASの概略.pdf
  • Ge-ATRプリズム

  • RAS用ユニット(偏光機能付き)

  • 透過測定用

  • 吸収特性からの物質同定

UV可視光測定システム
設置場所:デバイス評価室
  • システム外観

メーカー 日本分光(株) 
型番 UV-550 
仕様 測定波長:190nm~900nm、透過、反射、積分球モード、拡散反射測定、膜厚および屈折率解析、液体セル搭載、吸収係数計測
用途 物質表面の反射率を計測する。薄膜の光学特性を解析する。 
マニュアル等 紫外可視分光光度計の概略.pdf
  • 試料回転用の治具

サーモビュア
設置場所:デバイス解析室
  • サーモビュア

    本体外観

メーカー 日本アビオニクス(株)
型番 TH6300R
測定温度範囲 -20℃~1000℃(標準レンジ/高温レンジ)
最小検知温度差 0.2℃以下@30℃(標準レンジ)
測定精度 ±2.5%または±2.5℃以下
測定波長 8~14μm
素子数 160(H)×120(V)
焦点範囲 10cm~∞
瞬時視野 2.2mrad
視野角 20°(H)~15°(V)
フレームタイム 1/60秒
多点温度表示 4点(内3点が移動可能、1点はMAX温度表示)
データ保存 内蔵メモリに1000画像以上記録可
インターフェース USB・ビデオ信号
用途 加熱部分の温度測定
赤外線画像の取得(連続測定可能)
Text形式での温度プロファイル取得
マニュアル等 サーモトレーサーマニュアル.pdf
  • ユニットシステム

超高速カメラ(8000コマ/秒)
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

メーカー (株)デシモ
型番 VCC-H8000
仕様 録画レート:50~8000 f/s
用途 液滴の飛翔などの超高速現象の解析
マニュアル等 高速度カメラ簡易マニュアル.pdf
  • カメラヘッド外観

  • カメラヘッド

超精密天秤
設置場所:クリーンルーム
  • システム外観

  • 防振台搭載

メーカー 島津製作所(株) 
型番 AUW220D 
仕様  
用途 高精度の重量測定、固体の比重測定 
  •  

引張り圧縮試験機
設置場所:デバイス解析室
  • システム外観

  • システム外観

メーカー (株)今田製作所 
型番 SV-52NA 
仕様  
用途 引張り圧縮荷重による試料の強度試験 
  • 制御パネル

バイオ用人工気象器
設置場所:デバイス解析室
  • システム外観

メーカー (株)日本医科器械製作所 
型番 LH - 80LED-DT 
仕様 3波長光源LED仕様、温度、湿度サイクルコントロール 
用途 バイオエレクトロニクス用の培養スペースとして用いる。 
  • 装置内天井のLEDライト

  • 植物サンプルセット

  • 植物サンプルセット

  • ブルー

  • レッド

  • グリーン

分析・計測 (小型)

帯電除電装置
設置場所:デバイス解析室
  • 外観

  • ノズルヘッド

メーカー イオンダスター、 アイ・エイ・シー(株)
型番 CA-30
仕様 入力電源:DC6V
出力電圧:約2kV
使用エアー圧力:0.2~0.65MPa
用途 試料の表面帯電の中和、ノズル噴射によるパーティクル除去
  •  

帯電メーター
設置場所:デバイス解析室
  • 帯電メーター

    本体外観

メーカー STATIRON
型番 STATIRON-M2
仕様 測定方法:回転セクター方式
測定電位範囲:±1、±10、±100[kV]
測定距離:50mm
精度:±10%
用途 固体表面の帯電電位および帯電量計測 
  •  

QCM(水晶振動子型膜厚計)
設置場所:クリーンルーム
  •  

メーカー 自作
型番
仕様 周波数測定範囲:0~1kHz, 0~3kHz, 0~10kHz, 0~30kHz, 0~100kHz, 0~300kHz
最少検出感度:20Hz
周波数指示確度:フルスケールに対して±2%
用途 薄膜の分子オーダーの膜厚計測、ナノグラム計測 
マニュアル等 QCMの概略.pdf
QCM吸着エンタルピー計測.pdf
  •  

  •  

  •  

ガスクロマトグラフィー
設置場所:デバイス評価室
  • 装置外観

メーカー 島津製作所(株)
型番 GC-9A
仕様  
用途 ガス中の構成成分解析
マニュアル等 ガスクロマトグラフィーの概略.pdf
  •  

拡大鏡
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー  
型番 SK-060675
仕様 Max 30倍
用途 簡単な試料観察用
  •  

表面結露測定機
設置場所:デバイス評価室
  •  

メーカー  
型番  
仕様  
用途 フリンジ法による固体表面の清浄度評価 
  •  

ファイバー型スペクトル分光器(UV可視)
設置場所:クリーンルーム
  • 分光器本体

  • ファイバユニット

メーカー 米国オーシャンオプテックス社(株) 
型番 USB2000
仕様
用途 光スペクトル解析、プラズマ発光分析など 
マニュアル等 ファイバー型スペクトル分光器マニュアル.pdf
  •  

紫外線強度計
設置場所:クリーンルーム
  • システム外観(センサ部とモニター部)

メーカー CUSTOM
型番 UV-340
仕様 サンプリング : 2.5回/秒
レンジ : 1999μW/cm2, 19990μW/cm2
分解能 : 1μW/cm2, 10μW/cm2
波長感度特性 : 290~390nm
用途 リソグラフィおよびUV処理用のUVランプのエネルギー密度計測用 
  •  

誘電特性測定器(FRA)
設置場所:デバイス解析室
  • 測定器外観

  • 測定器外観

メーカー (株)エヌエフカイロ設計ブロック 
型番 5010A 
仕様 誘電特性の周波数応答スペクトルを測定する。
用途 周波数分散測定、コールコール円解析、低周波誘電応答解析 
  •  

LCR,C-V特性測定機
設置場所:デバイス解析室
  • 測定器外観

  • 入出力ユニット

メーカー 日置電機(株)
型番 IM3570 
仕様
用途 周波数分散特性、コールコール円解析、C-V特性測定 
  •  

引っ張り試験機
設置場所:デバイス解析室
  • システム外観

  • 溶液用チャンバ

メーカー Quad Group社
型番 Sebastian I 
仕様
用途 大気中および液中での引張破壊強度試験 
マニュアル等 付着力測定器の概略.pdf
  • 剥離試験後の破断面解析

広がり抵抗測定器
設置場所:デバイス解析室
  • システム外観

メーカー  
型番  
仕様  
用途 半導体用の不純物濃度の深さ分布測定。金属界面のミキシング解析。
  •  

表面形状測定器(表面粗さ計)
設置場所:クリーンルーム
  • システム外観

  • 制御コントローラ

メーカー 東京精密(株)
型番 SURFCOM 130A
仕様 測定範囲:X軸 50mm,Z軸 800μm
真直度精度:0.3μm/50mm
X軸倍率:1, 2, 5, 10, 20, 50, 100, 200, 500, 1k, 2k, 5k, 自動
Z軸倍率:50, 100, 200, 500, 1k, 2k, 5k, 10k, 20k, 50k, 100k, 自動
測定速度:0.15,0.3, 0.6, 1.5, 3 mm/s (5速)
検出器:先端半径2μm,材質:ダイヤモンド,測定力:0.75mN
用途 表面の粗さ計測、形状計測、スクラッチングテスト
マニュアル等 表面粗さ計の概略.pdf
  • プローブ先端

  • 測定試料のセッティング

ボンディングテスタ
設置場所:デバイス評価室
  • システム外観

メーカー (株)レスカ 
型番 PTR-01 
仕様
用途 はんだ、微細構造の付着力計測  
  • プローブによる構造破壊

  • サンプルセット用治具

  • はんだBGA剥離用

  • BGA写真

  • はんだBGAのプルテスト

  • 先鋭プローブによる局所破壊

アッベ屈折計
設置場所:デバイス解析室
  • アッベ屈折計

    外観

メーカー 株式会社アタゴ
型番 MM-700
仕様
用途 固体および液体用屈折率の測定 
マニュアル等 アッベ屈折率計の概略.pdf
  •  

ポラリスコープ
設置場所:デバイス解析室
  • 外観

メーカー ネオアーク(株) 
型番 P-200
仕様
用途 透明体の内部歪みの可視化解析 
  • 光弾性像
    (センターホール)

  • 応力分布解析

  • 光弾性像
    (側面クラック)

  • 応力分布解析

スクラッチ試験機
設置場所:デバイス解析室
  • システム外観

メーカー 新東科学株式会社
型番 HEIDON type: 18L
品名 連続荷重引掻強度試験機
荷重変換機 9.807N(1.415mV/V)
分銅 1g, 5g, 10g, 50g, 100g, 200g
連続荷重用分銅 0~50g, 0~100g, 0~200g
治具 ボール圧子(アルミナ)、引掻針(ダイヤモンド0.05mm)
測定範囲 ~100mm
移動速度 600mm/min
用途 表面破壊試験、摩擦試験、摩耗試験、スクラッチ試験
膜付着特性、摩擦係数計測
  • サンプル摺動部

  • バランス用重り

連続荷重摩擦試験器
設置場所:デバイス解析室
  • 摺動面

  • 摺動面

メーカー 新東科学株式会社
型番 HEIDON type: 18L
仕様 移動速度: 600mm/min
移動距離: 100mm
垂直荷重: 0~50,0~100,0~200g
荷重変換機: 9.807N(1.415mV/V)
フィルタ: 1・10・100HZ・PASS
用途 固体表面の摩擦力、摩耗性、スクラッチング性の解析
  • 摩擦用アルミナボール

  • 連続荷重用ギア

デジタルオシロスコープ
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

  • 装置操作面

メーカー レクロイ社製
型番 WaveAce101
仕様 帯域幅:40MHz
サンプリングレート:500M/s
入力インピーダンス:1M - 13pF
立ち上がり時間:8.8ns
最大入力電圧:400V
用途 シグナルモニター用
  • 発電パルス信号

オゾン濃度モニター
設置場所:クリーンルーム
  •  

メーカー 株式会社堀場製作所
型番 KH-200A
仕様 測定範囲:0~20,200g/Nm3
用途 大気中のオゾン濃度計測 
  •  

デジタルマルチメータ
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

  • 装置操作面

メーカー KEITHLEY 
型番 2100型
仕様 6.5桁分解能
用途 デバイスのIV特性、トランジスタの入出力特性の解析
  •  

赤外線放射温度計
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

メーカー 浜松ホトニクス(株) 
型番 C2250 
仕様  
用途 非接触での物体の温度計測 
  • 温度計測モード

赤外線イメージスコープ
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

  • 装置外観

メーカー NEC Avio 赤外線テクノロジー株式会社 
型番 TH6300R 
仕様  
用途 物体の温度分布モニター 
マニュアル等 サーモトレーサー簡易マニュアル.pdf
  • 温度プロファイル計測

ストロボシステム
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

  • コントロールパネル

メーカー (株)菅原研究所  
型番 MSX-1AA 
仕様  
用途 太陽電池セルのパルス応答解析、回転体の同期シグナル 
  •  

pn判定器
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー 共和理研(株)
型番 K-706TS
仕様 熱励起によるキャリア判定消費電力:10W以下
用途 シリコン基板のp, n 形の判定
  • 測定の様子

4探針プローブ
設置場所:クリーンルーム
  •  

メーカー 協和理研
型番 K-89PS40μR,K-89PS4150μR
仕様  
用途 半導体および導電膜の抵抗率測定
  • サンプル測定

ストレスゲージ(応力測定器)
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー INONIC SYSTEMS
型番  
仕様  
用途 薄膜表面の応力測定、有機膜を対象としたMPaクラスの高感度測定が可能
マニュアル等 膜応力測定機器の概略.pdf
CV(化学ポテンシャル)測定
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー 北斗電工(株)
型番 HSV-110
仕様  
用途 酸化還元電位サイクルの計測、電池デバイスの動作評価、ゼータ電位計測
  • 計測システム

  • チャンバーユニット

  • I‐Vサイクリック特性

燃料電池評価システム
設置場所:クリーンルーム
  • 燃料電池評価システム

    組立キット

メーカー 株式会社ケミックス
型番 PEM-004PM
仕様  
用途 DMFC,PEFC型の燃料電池特性の評価
  •  

データロガー(HIOKI製)
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

メーカー 日置電機(株)
型番 LR8400
仕様 チャネル数:パルス入力またはディジタル入力8ch
パルス積算:0~1000Mパルス
記録間隔:10ms~50ms,100ms~1時間
ディジタルフィルタ:OFF/50Hz/60Hz
用途 連続データ記録用
  •  

データロガー(GRAPHTEC製)
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

  • 入出力端子部

メーカー GRAPHTEC
型番 GL220
仕様 アナログ端子数:10チャネル
PC I/F:USB1.1
サンプリング間隔:10ms~1hour
使用環境:0~45℃、5~85%RH
用途 連続データ記録用
  •  

高圧電源装置1
設置場所:デバイス解析室
  • 装置操作面

  • 装置外観

メーカー (株)高砂製作所
型番 TMK1.0-50
仕様 出力電圧最大1kV 出力電流最大50mA
用途 陽極接合用電源 
  •  

高圧電源装置2
設置場所:デバイス解析室
  • 装置操作パネル

  • 装置外観

メーカー 菊水電子工業(株) 
型番 PMC250-0.25A 
仕様 最大200V 
用途 ピエゾステージなどの高圧駆動デバイス用 
  •  

ハイブリッドシステム
設置場所:デバイス解析室
  • 装置操作パネル

  • 装置外観

メーカー MICRONIX
型番 MHS550
搭載機器 周波数カウンタ, ファンクションジェネレータ, デジタルマルチメータ, 直流電源
仕様 [カウンタ部]
測定周波数:1Hz~10MHz, 10MHz~250MHz
ゲート時間:0.01s, 0.1s, 1s, 10s
[ファンクションジェネレータ部]
出力周波数:0.2Hz~2MHz
出力波形 : 正弦波,方形波,三角波及びその対称性を変えた波形
[デジタルマルチメータ部]
表示:4 1/2桁(19999カウント), アナログバーグラフ, LCD表示
測定モード:DC電圧, AC電圧, DC電流, AC電流, 抵抗, 静電容量, ロジック測定
[直流電源部]
出力電圧:0~30V 出力電流:0~2A
用途 デバイス特性解析用
  •  

定電圧電源
設置場所:デバイス解析室
  • 装置操作パネル

  • 装置外観

メーカー CUSTOM
型番 CPS-3050L
仕様  
用途  
  •  

パワー電源
設置場所:デバイス解析室
  • 装置操作パネル

  • 装置外観

メーカー CUSTOM
型番 CPS-3025L
仕様 出力電圧:0~30V
出力電流:0~2.5A
リップルノイズ:5mVrms以下
用途  
  •  

はんだ加熱用マイクロチャンバー
設置場所:デバイス解析室
  • システム外観

メーカー   
型番  
仕様  
用途  
  • 加熱用ユニット

  • 試料チャンバー

  • 試料温度計測

PHメータ、溶液誘電率計
設置場所:デバイス解析室
  • 外観

メーカー HANNA instruments
型番 HI 1282
仕様 pH:0.0~14.0
導電率:0.00~4.00mS・㎝
精度(pH):±0.2
使用温度:0~50℃
用途 溶液のpH計測
  •  

溶存酸素計、溶液誘電率計
設置場所:デバイス解析室
  • 外観

メーカー 扶桑理化製品株式会社
型番 DO-5510
仕様 溶存酸素:0~20.0mg/L,±0.4mg/L
用途 液体中の溶存酸素計測
  •  

デジタル温湿度計
設置場所:デバイス解析室
  • 機器外観

メーカー 東京硝子器械株式会社
型番 FCTH-1360
仕様 温度:-20℃~60℃ 湿度:10~95%RH
用途 環境および処理チャンバー内の温度湿度計測
  •  

機械加工システム(卓上ボール盤、卓上糸のこ盤、万力、研磨、はんだ付け)
設置場所:デバイス解析室
  • 機械加工ブース

メーカー 卓上ボール盤:アークランドサカモト株式会社
卓上糸ノコ盤:リョービ株式会社
両頭グラインダ:リョービ株式会社
型番 卓上ボール盤:GTTB-13SP
卓上糸ノコ盤:TF-535A
両頭グラインダ:TG-151
仕様 [卓上ボール盤]
電流:2.6/2.4A
回転数:1450/1720rpm
変速:5段階
定格時間:30min
[卓上糸ノコ盤]
切断能力:木材50mm,軟鋼板3mm,真鍮4mm
ストローク数:950min-1(50Hz),1100min-1(60Hz)
[両頭グラインダ]
回転数:3000/3600min-1
砥石外径:150mm
厚さ:6.4mm/19mm
穴径:12.7mm
用途  
  • ボール盤

  •  

接触角計
設置場所:クリーンルーム
  • 接触角計

メーカー 協和界面科学
型番 CA-DT
仕様  
用途  
マニュアル等 接触角計の概略.pdf
  • 接触角測定

  • 超撥水基板

  • 計測トレーニング

表面張力計
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー 協和界面化学
型番 CBVP-A3
仕様 ウィルヘルム法、Pt基板使用 
用途 液体の表面張力測定 
マニュアル等 表面張力計の概略.pdf
  • Ptプレート処理用治具

ゼータ電位計
設置場所:デバイス評価室
  • 装置外観

メーカー マイクロテック・ニチオン
型番 ZEECOM ZC-3000
仕様 ゼータ電位測定範囲 : -200~200 mV
供給印加電圧 : 0~350V
測定可能粒径 : 0.02~300μm
モビリティー : -20~20 cm2/sec・V
用途  
  •  

偏光顕微鏡
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

メーカー 協和光学工業株式会社
型番 ME-POL2
仕様 倍率50~400倍
用途  
  •  

位相差顕微鏡
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

メーカー TBI
型番 1-2537-01
仕様 倍率10倍、25倍、40倍
用途   
  • 観察ステージ

金属顕微鏡
設置場所:デバイス解析室
  • 外観図

メーカー   
型番  
仕様  
用途  
  • 顕微鏡システム

ライツ金属顕微鏡
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー Leitz 
型番  
仕様 1200倍の拡大、反射および透過モード
用途 購買率での精密観察
マニュアル等 光学顕微鏡の概略.pdf
  •  

デジタルマイクロスコープ
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー (株)松電舎 
型番 TG-3D2 
仕様  
用途 試料の状態観察用 
マニュアル等 観察用ソフトウェア使用方法.pdf
校正用ガラススケールデータ.pdf
  •  

デジタルマイクロスコープ(キーエンス製)
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

  • 装置外観

メーカー (株)キーエンス 
型番 VHX-500
仕様 ズームレンズ:VH-Z100(100~1000倍)
スタンド:VH-S30フリーアングル観察システム
モニタ:カラー15型
撮影素子(CCD):211万画素
撮影モード:1800万画素モード他4種類
画面分割機能:上下、左右、4分割
測定機能:距離、面積、角度など計13種類、高解像度寸法測定、広視野自動2点間計測
深度合成機能:リアルタイム/ハイクオリティ2種
3D表示機能:ハイブリッドDFD方式
用途  
  •  

生物顕微鏡(透過顕微鏡)
設置場所:デバイス解析室
  • 装置外観

メーカー カートン光学(株) 
型番 CS 
仕様  
用途 薄膜の均一性評価 
  • サンプルステージ部

水分計
設置場所:デバイス評価室
  • 装置外観

  • 内部構造

メーカー (株)島津製作所
型番 MOC-120H
仕様 試料質量:0.5~120g
最小表示桁:水分(固形物)0.1%または0.01%(切替)、質量0.001g
測定方法:乾燥減量法(加熱乾燥・質量測定方式)
測定単位:水分(ウェットベース・ドライベース)、質量、固形分
測定範囲:0~100%(ウェットベース・固形分)、0~500%(ドライベース)
温度設定範囲:30~200℃(1℃間隔)(皿上温度)
データメモリ:100データ
熱源:最大625W 中波長赤外線ヒーター
外部出力:RS-232Cインターフェース
試料皿寸法:直径130mm、深さ13mm(SUS製)
用途  
  • 指示部

内視鏡
設置場所:デバイス解析室
  • 内視鏡

    システム外観

メーカー クロダオプトロニクス
型番 HDS-A085
仕様 12,000画素
用途 通常では見づらい入り組んだ箇所、狭い個所、植物内部の観察
  •  

超音波カッター
設置場所:デバイス解析室
  • 内視鏡本体

    本体

  • 内視鏡カッター部

    カッター部

メーカー 本多電子株式会社
型番 CSW-334
仕様 発振方式:自励発振
切断可能樹脂:ABS・PP・PET・アクリル
切断可能板厚:3mm以下
用途  
  •  

ダイヤル式抵抗器
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー 横河メータ&インスツルメンツ
型番 278610
仕様 抵抗値範囲:0.1Ω~111.111kΩ
確度:0.1Ω ±2%,1Ω ±0.5%,10Ω ±0.1%,100Ω ±0.05%,1kΩ ±0.05%,10kΩ ±0.1%
用途 電池特性の測定回路における負荷抵抗
  •  
LCR外部バイアス 4端子プローブ
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー 日置電機
型番 9268-10
仕様 DCバイアス電源ユニット
最大印加電圧:DC±40V
周波数:40Hz~5MHz
用途 LCRメータを用いて、サンプルにバイアスを印加して測定するとき等
  •  
安全カメラ
設置場所:クリーンルーム
  •  

メーカー コロナ電業株式会社
型番 TR-X50WCP
仕様 有効画素数 : 約30万画素
最低照度 : 0.5Lux (赤外線投光時 0Lux)
赤外線投光距離 : 約7mV
用途  
  •  
ストップウォッチ
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー 株式会社ドリテック
型番 SW-114SV
仕様 最小計測単位 : 1/100秒
最大計測時間 : 23時間59分59秒
用途  
  •  
ストップウォッチ
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー セイコーウオッチ株式会社
型番 ADMG001
仕様 最小計測単位 : 1/100秒
最大計測時間 : 100時間
用途  
  •  

設備 (クリーンルーム関連)

超純水作製装置
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー (株)三商
型番 SWG250B
仕様 蒸留水製造量:約1.8L/h
蒸留水採取量:約0.5~1L/min
イオン交換水採取量:約0.5~1L/min
採水容量設定範囲:0.1~30L/連続採水
ヒータ:セラミックヒータ 1.4kW
用途 超純水作製用
マニュアル等 イオン交換水作製.pdf
蒸留水の作製.pdf
  • イオン交換樹脂と蒸留ユニット

クリーンベンチ
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観(吸着排ガス処理)

メーカー ダルトン(株) 
型番  
仕様  
用途 各種の
  • 薬品処理オペトレ

酸素モニター
設置場所:クリーンルーム
  • センサ部とモニター部

メーカー 泰榮電器株式会社
型番 OM-25MP20
仕様 0~100%O2
用途 大気中の溶存酸素を常時モニターする。
  •  

冷却水循環システム
設置場所:クリーンルーム
  • 装置外観

メーカー 東京理化器械株式会社
型番 CA-111
仕様 温度:20~-5℃
用途 ESEMによる液体の直接観察時に用いる試料冷却用ピエゾステージの循環冷却、XPSのX線源の冷却
  •  

パターン現象ステーション
設置場所:クリーンルーム
  •  

メーカー   
型番  
仕様  
用途  
  •  

ガスボンベ
設置場所:クリーンルーム
  •  

メーカー アルゴン,酸素:大陽日酸(株)
四フッ化炭素:関東電化工業(株)
型番  
仕様  
用途  
マニュアル等 ガスボンベ取り扱いマニュアル.pdf
  •  

ビーカー洗浄機
設置場所:クリーンルーム
  • 機器外観

メーカー サンプラテック
型番  
仕様  
用途 回転水流による実験治具の洗浄
  •  

静電気除去装置
設置場所:クリーンルーム
  • 静電気除去装置本体

    本体

  • 静電気除去装置エアフィルタ

    エアフィルタ

メーカー ヒムエレクトロ
型番 HSE200N
仕様 コンプレッサー圧力:約4kgf/cm2
最大出力電圧:7kV
静電気除去方法:コロナ放電式
用途  
マニュアル等 除電気の概略.pdf
  •  

ポータブル発電機
設置場所:クリーンルーム
  • ポータブル発電機

    外観

  • ポータブル発電機

    内部構造

メーカー 本田技研工業株式会社
型番 EAWJ-1129324
仕様 定格電圧:100V
定格電流:9A
定格出力:0.9kVA
定格出力周波数:50Hz/60Hz
相:単相
用途  
  •  

洗濯機
設置場所:動力室
  •  

メーカー 三洋電機
型番 AWD-AQ100
仕様 種類:ドラム式洗濯乾燥機
標準洗濯容量:9kg(乾燥時の布質量)
標準仕様水量:選択乾燥時に107L
用途 リーンウェアや白衣の洗濯
  •  

シミュレーション・プレゼン

有限要素解析(FEMAP)
設置場所:デバイス解析室
  • システム外観

メーカー Enterprise Software Products inc
型番 FEMAP v6.0.1
ハード仕様 Gateway社製, Intel(R) Pentium 4(R), NVIDIA TNT Model64
Memory128MB, HDD80GB, Microsoft Windows me
用途 有限要素法によるシミュレーション(応力、電磁界、熱伝導)、光造形CAD用解析
マニュアル等 FEMAP利用マニュアル(基本編).pdf
FEM簡易マニュアル.pdf
FEM説明.pdf
熱伝導解析.pdf
熱膨張解析.pdf
変形-応力解析.pdf
電流分布解析.pdf
  • パターン応力変形図

  • 解析の様子

3D-CAD(Rhinoceros 5)
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー 開発元 Robert McNeel & Associates
型番 Ver.5.0
仕様  
用途  
  • 設計(燃料電池システム3Dモデリング図)

ネットワークサーバー
設置場所:デバイス解析室
  • サーバー本体とUPS

  • システム外観

メーカー DELL 
型番  
仕様  
用途 研究室のデータ管理、ホームページ管理用 
  •  

流体解析(PHOENICS)
設置場所:デバイス解析室
  • 流体シミュレーション

メーカー Phoenics(株)
型番 Ver.2006
仕様  
用途 流体挙動解析、チューブ内層流、ノズル噴射、2層流混合、噴射による圧力計算 
  •  

バンド構造解析(FORTRAN)
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー   
型番  
仕様  
用途  
  •  

光学像解析(BASIC)
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー   
型番  
仕様  
用途 レジスト層内の光学像シミュレーション
  • スリット通過後の光強度分布(フレネル回折)

  • スリットをマスクとした場合のレジストフィ
    ルム内の光エネルギー分布シミュレーション

液晶モニター(37インチ)
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー TOSHIBA
型番 40S5
仕様  
用途  
  •  

液晶プロジェクター
設置場所:デバイス解析室
  • 液晶プロジェクター

    外観

メーカー NEC
型番 NP500
仕様 画素数(ドット×ライン):786,432画素(1024×768)
ランプ交換時間(目安)3000時間
明るさ:3000ルーメン
画面サイズ(投射距離):21~300型(0.7~11.3m)
用途  
  •  

プロジェクター
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー RICOH
型番 IPSiO PJ WX4130
仕様 画素数:1280x800
明るさ:2500lm
投影サイズ:48~80インチ
入力:ミニD-sub15pin×1、HDMI タイプA×1
用途 ゼミ等でのスライドの投影など
  •  
オーディオコンポ
設置場所:デバイス解析室
  • オーディオコンポ

    外観

メーカー ONKYO
型番 X-NFR7
センターユニット部:NFR-7
スピーカーユニット部:D-NFR7
仕様 CD, SD, USBの再生可能
・Bluetooth対応
用途 英語ゼミでの音声教材の再生、TOEIC勉強会でのリスニング再生
  •  
Mathmatica
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー  
型番  
仕様  
用途  
マニュアル等 mathematica計算.pdf
  •  

MS-FORTRAN
設置場所:デバイス解析室
  •  

メーカー   
型番  
仕様  
用途 簡単な構造物の応力分布解析 
  • コーナーでの応力集中

  • 90度テープ剥離時の変形図

  • 90度テープ剥離時の応力集中