『ダブルパターニング・マルチパターニング技術の基礎とプロセスおよび材料の最適化』をテーマにセミナーを開催します

セミナー概要

日 時 2019年3月27日(水) 13:00~16:30
会 場 東京・品川区大井町 きゅりあん 4F 研修室
主 催 サイエンス&テクノロジー株式会社
講 師 河合 晃 教授

※詳細(申込み)は主催者ページをご覧ください。
https://www.science-t.com/seminar/B190327.html

セミナー内容

セミナー趣旨

今日の半導体デバイスの進展を支えてきた技術の一つに微細パターン形成技術がある。1985年代初めに数μmのオーダであった最小加工寸法は、現在数10nmのレベルまで微細化され、30年で1/100にまで縮小された。すでにArF(193 nm) の波長を用いた光リソグラフィでは、高NA化は限界に達しており、レイリーの式におけるk1ファクターの縮小が可能となるダブル/マルチパターニングリソグラフィが光リソグラフィの延命化技術の本命となる。ダブル/マルチパターニング技術では、工程の複雑さ、寸法ばらつき、重ね合わせ、パターン分割などの様々な高精度化へ技術課題が存在する。
本セミナーではこれらの課題解決に注目し、ダブル/マルチパターニング技術における基礎とプロセス材料の最適化について述べる。

プログラム

1.光リソグラフィーの技術トレンド
1.1 パターン解像性(k1=0.25解像限界)
1.2 微細化の延命化技術の概要(多層、位相シフト、超解像、液浸、ダブル/マルチパターニング)

2.ダブル/マルチパターニング
2.1 k1<0.25の実現(多重露光との差)
2.2 パターニングシステム
 2.2.1 リソ・エッチ・リソ・エッチ(LELE)型
 2.2.2 スペーサ/サイドウォール型
 2.2.3 簡易化プロセス(材料プロセス)
2.3 高精度化技術
 2.3.1 寸法ばらつき抑制(要因分析と設計基準)
 2.3.2 重ね合わせ誤差低減(評価と計測手法)
 2.3.4 パターン分割ルール(効果的なパターン設計)
 2.3.5 光近接効果補正(OPC)(パターン形状の高精度化)
 2.3.6 エッチング(スペーサ欠陥の低減)
 2.3.7 パターン欠陥撲滅(歩留まり向上への取り組み)

3.質疑応答・技術相談
(日頃のトラブル・研究開発の相談に対応します。)